18/04/2006 : Samsung : des puces mémoire rangées en 3D

Ce jeudi, la firme coréenne Samsung a annoncé avoir mis au point une nouvelle manière de ranger les semi-conducteurs, qui permet au final un gain de place considérable et une amélioration en terme de performances.

Concrètement, il s'agit de stocker les puces en trois dimensions, c'est-à-dire en lignes, en colonnes et en étages. Alors qu'actuellement, les liaisons entre les différentes puces se font via des câblages, ici, ce n'est plus le cas.

En effet, des petits canaux creusés à travers la couche de silicium de la puce, fins d'à peine quelques dizaines de microns, permettront de relier les puces entres elles. L'espace entre ces dernières devient alors très faible, d'où un gain de place qui sera au final considérable et la possibilité de les empiler les unes sur les autres. Les performances sont ainsi accrues et les capacités de stockage améliorées.

La première puce basée sur cette technologie révolutionnaire et mise au point par Samsung, contient 8 puces de 2 Gbits chacune, soit 16 Gbits au total ( ou 2 Go ). Elle mesure à peine 0,56 millimètres d'épaisseur.

Les mémoires flash usant de cette technologie de rangement arriveront dans les appareils mobiles et d'autres produits électroniques début 2007. Par la suite, la firme coréene envisage aussi d'appliquer cette technologie aux modules de mémoire DRAM.